[发明专利]磁感应器的形成方法有效
| 申请号： | 201410083737.4 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103824936B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 赵波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 张亚利,骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种磁感应器的形成方法，包括提供衬底，在所述衬底上形成磁性材料层；在所述磁性材料层上形成高阻阻挡层；形成图案化的磁性材料层和图案化的高阻阻挡层。采用本发明的方法形成的磁感应器的各向异性磁电阻相对变化率高。 | ||
| 搜索关键词： | 感应器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种磁感应器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一刻蚀停止层；在所述第一刻蚀停止层上形成第二刻蚀停止层的步骤，所述第二刻蚀停止层的厚度远小于第一刻蚀停止层的厚度，第一刻蚀停止层的厚度为1000～3000埃，第二刻蚀停止层的厚度为100～600埃；在第二刻蚀停止层上形成磁性材料层；在所述磁性材料层上形成高阻阻挡层，所述高阻阻挡层的阻值大于等于20000μohmm·cm；形成图案化的磁性材料层和图案化的高阻阻挡层。
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