[发明专利]一种大规模集成电路制造装备用因瓦合金及其制备方法有效
| 申请号： | 201410083936.5 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103820710A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 路东柱;吴敏杰;郑广文 | 申请（专利权）人： | 沈阳富创精密设备有限公司 |
| 主分类号： | C22C38/14 | 分类号： | C22C38/14;C22C33/04 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 俞鲁江 |
| 地址： | 110168 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大规模集成电路制造装备用因瓦合金及其制备方法。本发明的技术方案为：现有的常规铁镍因瓦合金由Ni、Fe和允许的杂质组成，所述允许的杂质包括C，其中所述Ni的质量分数为34.0%～38.0%，所述C的质量分数为0.001%～0.1%，余量为Fe；所述大规模集成电路制造装备用因瓦合金为在保持所述常规铁镍因瓦合金成分的基础上添加Ti，所述Ti的质量分数为0.01%～0.5%；所述Ti与所述C发生反应原位生成强化相TiC。本发明解决了常规铁镍因瓦合金拉伸强度较低，不能满足大规模集成电路制造装备生产使用需求的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大规模集成电路 制造 装备 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大规模集成电路制造装备用因瓦合金，其特征在于，常规铁镍因瓦合金由Ni、Fe和允许的杂质组成，所述允许的杂质包括C，其中所述Ni的质量分数为34.0%～38.0%，所述C的质量分数为0.001%～0.1%，余量为Fe；所述大规模集成电路制造装备用因瓦合金为在保持所述常规铁镍因瓦合金成分的基础上添加Ti，所述Ti的质量分数为0.01%～0.5%；所述Ti与所述C发生反应原位生成强化相TiC。
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