[发明专利]利用离子束以及可变孔隙在衬底上进行离子注入的方法有效

专利信息
申请号: 201410083953.9 申请日: 2011-03-17
公开(公告)号: CN103811248B 公开(公告)日: 2017-07-21
发明(设计)人: 万志民;约翰·D·波拉克;唐·贝瑞安;任克川 申请(专利权)人: 汉辰科技股份有限公司
主分类号: H01J37/09 分类号: H01J37/09;H01J37/317
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 徐洁晶
地址: 中国台湾新竹县宝山乡*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供一种利用一离子束以及一可变孔隙在一衬底的不同部分上以不同的离子掺杂量进行离子注入的方法,用以先改变离子束形状,特别是在衬底附近改变离子束的最终形状,然后再以成形后离子束来对衬底进行离子注入。因此,衬底的不同部分或是不同的衬底,可在不使用公知通过多个固定孔隙或是每次都要重新调整离子束等方法的情况下,分别通过不同的成形后离子束来进行离子注入。换句话说,不需要高成本与复杂的操作步骤,即可达成分别通过特制离子束来进行不同离子注入的目的。另外,相较于现有技术,由于可变孔隙的调整可通过机械操作而易于达成,故能加速离子束调整过程,以获得进行离子注入的一特定离子束的离子束调整过程。
搜索关键词: 利用 离子束 以及 可变 孔隙 衬底 进行 离子 注入 方法
【主权项】:
一种利用多个成形后离子束以及靠近一衬底的一可变孔隙在所述衬底的不同部分上以不同的离子掺杂量进行离子注入的方法,其中所述衬底具有一第一部分以及一第二部分,所述衬底的第二部分不同于所述衬底的第一部分,所述方法包括:产生一初始离子束;导引所述初始离子束通过一光学组件以形成一改变后离子束,其中,所述光学组件包含一磁铁组件,形成所述改变后离子束的步骤包含利用所述磁铁组件产生一磁场来改变所述初始离子束之各个离子的运动,使得所述改变后离子束的横截面电流分布相异于所述初始离子束的横截面电流分布且较所述初始离子束的横截面电流分布平滑;导引所述改变后离子束至所述可变孔隙;利用所述可变孔隙来调整所述改变后离子束,以形成一第一成形后离子束;应用所述第一成形后离子束于所述衬底的第一部分,其中,在应用所述第一成形后离子束的过程中,所述改变后离子束的参数保持不变;利用所述可变孔隙来调整所述改变后离子束,以形成一第二成形后离子束,其中,所述第二成形后离子束在尺寸及形状至少其中之一相异于所述第一成形后离子束;以及应用所述第二成形后离子束于所述衬底的第二部分,其中,在应用所述第二成形后离子束的过程中,所述改变后离子束的参数保持不变。
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