[发明专利]一种膜层的干法刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410084219.4 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103887165A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 谌泽林;赵吾阳;倪水滨;欧飞 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种膜层的干法刻蚀方法，包括以下步骤：S1混合刻蚀反应气体和PR灰化气体，形成反应气体；S2对膜层进行刻蚀，同时对膜层上的PR胶进行灰化处理，直至暴露出的膜层被刻蚀完毕；S3除去剩下的PR胶后，膜层的两端形成斜面。本发明适用于大部分控制线、过孔等干法刻蚀，能控制膜层坡度角大小，通过选择可选的方案获得需要的坡度角，解决膜层顶部的突起，膜层底部钻刻，防止后续膜层的断裂，解决了由于膜层断裂引起的腐蚀和短路等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种膜层干法刻蚀的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1混合刻蚀反应气体和PR灰化气体，形成反应气体；S2对膜层进行刻蚀，同时对膜层上的PR胶进行灰化处理，直至暴露出的膜层被刻蚀完毕；S3除去剩下的PR胶后，膜层的两端形成斜面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
