[发明专利]一种半导体器件蚀刻方法及半导体器件形成方法

摘要

本发明提供的一种半导体器件蚀刻方法及半导体器件形成方法，包括：主蚀刻流程、至少一次副蚀刻流程，在所述主蚀刻流程中，半导体器件基底层上的氧化物层上形成多晶层，通过第一蚀刻流体对多晶层蚀刻，在满足预设的第一次蚀刻终点侦测条件时，结束主蚀刻流程在所述多晶层残留有第一预设厚度，而所述副蚀刻流程中，通过第二蚀刻流体对所述残留的多晶层进行蚀刻，所述第二蚀刻流体的蚀刻速率慢于所述第一蚀刻流体，在满足预设的第二次蚀刻终点侦测条件时，结束所述副蚀刻流程，所述氧化物层残留有第二预设厚度，从而增加了对氧化物层蚀刻量的可调节范围，同时无需更改主蚀刻步骤，调节下层的氧化物层厚度亦不会影响蚀刻形貌。

主权项

1.一种半导体器件蚀刻方法，其特征在于，包括：主蚀刻流程，包括：所述半导体器件的基底层上的氧化物层上形成多晶层；通过第一蚀刻流体对所述多晶层进行蚀刻；满足预设的第一次蚀刻终点侦测条件时，结束所述主蚀刻流程，所述多晶层残留有第一预设厚度；至少一次副蚀刻流程，包括：通过第二蚀刻流体对所述残留的多晶层进行蚀刻，其中，所述第二蚀刻流体的蚀刻速率慢于所述第一蚀刻流体；满足预设的第二次蚀刻终点侦测条件时，结束所述副蚀刻流程，所述氧化物层被蚀刻掉一定蚀刻量而残留有第二预设厚度；所述第一蚀刻流体及第二蚀刻流体为气体，所述第二蚀刻流体为溴化氢、碳氟化合物及稀释性成分所组成的蚀刻气体，所述第二蚀刻流体对所述多晶层和所述氧化物层的选择比为15：1；所述氧化物层厚度大于100埃，所述第二预设厚度指在所述氧化物层蚀刻损失大于0且小于等于80埃厚度后的残留厚度。