[发明专利]栅极氧化层的制备方法

摘要

本发明公开了一种栅极氧化层的制备方法，该方法通过去除部分STI表面的部分材料使得AA区的侧面露出于STI的表面，进而在AA区和STI交界处形成由AA区侧面和STI表面构成的夹角，随后在AA区生长的栅极氧化层的过程中，栅极氧化层在AA区与STI的交界处同时沿AA区的侧面和STI的表面向外生长，进而填充STI的表面和AA区的侧面之间的空间，从而提高了AA区和STI交界处所生长的栅极氧化层的厚度，减小了AA区和STI交界处所生长的栅极氧化层与AA区表面生长的栅极氧化层的厚度差异，消除了现有技术中所存在的凹陷结构，提高了AA区和STI交界处所生长的栅极氧化层的击穿电压，避免HV GOI Vramp的失败。

主权项

一种栅极氧化层的制备方法，包括：提供形成栅极氧化层之前的衬底，所述衬底中形成有STI，在STI之间的衬底区域为AA区，在所述AA区的表面和STI的表面覆盖一牺牲氧化层；去除所述牺牲氧化层，并去除所述STI表面的部分材料，以使得所述STI的上表面低于所述AA区的上表面；在去除所述STI表面部分材料后所露出的AA区的侧面以及所述AA区的上表面，生长第一氧化层；去除所述第一氧化层，并进一步去除所述STI表面的部分材料，使得STI表面的高度进一步下降；在所述AA区的上表面和侧面以及靠近所述AA区的STI表面生长栅极氧化层。