[发明专利]基于交叉耦合密勒电容抗SEU加固的新型存储单元在审
| 申请号： | 201410084629.9 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN103886894A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 王海滨;林善明;谢迎娟;单鸣雷;刘玉宏;刘翔 | 申请（专利权）人： | 河海大学常州校区 |
| 主分类号： | G11C11/41 | 分类号： | G11C11/41 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 210022 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于交叉耦合密勒电容抗SEU加固的新型存储单元，包括存储单元，其特征在于：所述存储单元为DICE存储单元，所述DICE存储单元四个节点中的每两个节点之间设置有密勒电容。本发明的有益之处在于：在DICE存储单元的节点之间连接交叉耦合密勒电容，可以实现用较小的电容获得较大的电容。在电路尺寸上，密勒电容不会明显增加器件面积，可以满足集成电路尺寸越来越小的要求。交叉耦合密勒电容的增加提高了节点翻转的临界点电荷，降低了相同数量的收集电荷能够引起的节点电压的改变，增加了DICE存储单元两个反相器之间的反馈延时时间，提高了DICE存储单元多节点抗SEU加固能力，避免两个节点同时受到辐射影响可能发生反转现象。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 交叉 耦合 密勒电 容抗 seu 加固 新型 存储 单元 | ||
【主权项】：
基于交叉耦合密勒电容抗SEU加固的新型存储单元，包括存储单元，其特征在于：所述存储单元为DICE存储单元，所述DICE存储单元包括四个节点；所述DICE存储单元四个节点中的每两个节点之间设置有密勒电容。
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