[发明专利]半导体装置用硅部件及半导体装置用硅部件的制造方法有效
| 申请号： | 201410085887.9 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN104047052B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 中田嘉信 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/14 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;宋志强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置用硅部件及半导体装置用硅部件的制造方法，该半导体装置用硅部件为由单向凝固硅制成，同时又能发挥与由单晶硅制成的部件几乎相同的性能，且即使体积比较庞大也能够制作的半导体装置用硅部件。该半导体装置用硅部件由切下柱状晶硅锭而制成，所述柱状晶硅锭通过在坩埚底部配置由单晶硅板构成的多个籽晶，并单向凝固坩埚内的熔融硅，从而从多个籽晶中分别生长出单晶而获得。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 部件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置用硅部件，其特征在于，所述半导体装置用硅部件为从柱状晶硅锭切下而制成，所述柱状晶硅锭通过在坩埚底部的除外周部之外的内周部分配置由单晶硅板构成的多个籽晶，并单向凝固坩埚内的熔融硅，从而从所述多个籽晶分别生长出单晶而获得，所述柱状晶硅锭由准单晶硅锭构成，所述准单晶硅锭由单晶区域与多晶区域构成，所述单晶区域由所述单晶构成且形成于中央部，所述多晶区域形成于所述单晶区域的外周部，上述半导体装置用硅部件为具有用于通入氟化类气体的多个孔的大于450mmφ的干蚀刻用电极板，所述半导体装置用硅部件由所述单晶区域和所述单晶区域的外侧的多晶区域构成，暴露在半导体装置用硅部件的使用部位表面的面积的至少1/3以上被视为1个晶粒的面取向相同的结晶所占据，根据半导体装置用硅部件的横截面中晶粒的晶界长度的总和LS和截面积A计算的晶界密度P＝LS/A为0.1以上且0.24以下。
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