[发明专利]低温离子注入方法有效
| 申请号： | 201410085914.2 | 申请日： | 2011-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103834925B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 约翰·D·波拉克;万志民;艾瑞克·科拉 | 申请（专利权）人： | 汉辰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 徐洁晶 |
| 地址： | 中国台湾新竹 县宝山乡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了可增进低温离子注入的产量的技术。在低温离子注入时，注入程序可在冷却程序使衬底温度降至大约为一预定注入温度前开始，而加热程序可在注入程序完成前开始升高衬底的温度。此外，可在注入程序中一部分期间或多个部分期间进行一或多个温度调整程序，以便于注入过程中，使衬底温度可控制地高于预定注入温度。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
一种低温离子注入方法，包含：在一腔室中提供一离子束，以及将一衬底由一外界环境移入所述腔室；进行一冷却程序，以冷却所述衬底；进行一注入程序，以将离子注入所述衬底，其中，一或多个温度调整程序以及所述注入程序的一部分期间或多个部分期间同时进行；进行一加热程序，以加热所述衬底；以及将所述衬底由所述腔室移至所述外界环境。
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