[发明专利]半导体器件测试样品的制作方法有效
| 申请号： | 201410086100.0 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN103822812A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 胡淼;袁力;韩超 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件测试样品的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成露出导电材料层的沟槽；以绝缘层为掩模，去除所述沟槽露出的待刻蚀层，形成空隙；去除绝缘层。去除绝缘层以后，所述空隙上方的沟槽也被去除，如果空隙中产生刻蚀残留物，由于空隙的深宽比小于绝缘层中沟槽的深宽比，晶圆检测设备能够较灵敏地在线捕捉到空隙中的刻蚀残留物的缺陷，对此类缺陷进行及时的监控。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测试 样品 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件测试样品的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成露出待刻蚀层的沟槽；以绝缘层为掩模，去除所述沟槽露出的待刻蚀层，以在待刻蚀层中形成空隙；去除绝缘层。
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