[发明专利]具有与晶体管长度脱钩的栅极硅长度的器件及其形成方法

摘要

本发明涉及具有与晶体管长度脱钩的栅极硅长度的触点几何，提供用于形成半导体器件的方法。在一个实施例中，提供具有栅极绝缘层和形成在栅极绝缘层上的栅极电极结构的栅极结构。所述方法提供沿平行于连接源极和漏极的方向延伸的方向相对于栅极绝缘层减少栅极电极结构的尺寸。提供一种具有包括栅极绝缘层和形成在栅极绝缘层上方的栅极电极结构的栅极结构的半导体器件，其中相对于栅极绝缘层的尺寸，栅极电极结构沿着与从源极到漏极导向的方向基本上平行的方向延伸的尺寸是减少的。根据一些实例，提供具有与由栅极结构所促成的沟道宽度脱钩的栅极硅长度的栅极结构。

主权项

一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包含：在半导体基板中设置有源区域；在所述有源区域中形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极绝缘层和具有栅极金属层的栅极电极结构；施加修整过程到所述栅极电极结构以从所述栅极电极结构去除具有第一侧壁厚度的材料，使得所述栅极金属层的暴露表面不被所述栅极电极结构所覆盖；和在所述经修整栅极结构上形成间隔体结构，所述间隔体结构具有至少一不小于所述第一侧壁厚度的第二侧壁厚度。