[发明专利]一种氧氮化硅结合高铝-碳化硅预制件的制备方法

摘要

本发明涉及一种氧氮化硅结合高铝-碳化硅预制件的制备方法。本发明以高铝（矾土、莫来石、红柱石）颗粒，碳化硅颗粒和细粉、矾土细粉、刚玉细粉、氧化铝微粉、纯铝酸钙水泥、二氧化硅微粉、硅粉，添加减水剂加水搅拌均匀成泥料，经振动浇注成型，制成坯体，在氮气气氛下通过高温原位反应制备出氧氮化硅结合高铝-碳化硅预制件。本发明制备的氧氮化硅结合高铝-碳化硅预制件具有耐剥落性好、成本低和寿命高等特点，可替代目前水泥回转窑的窑口和喷煤管用的高铝碳化硅浇注料。 

主权项

一种氧氮化硅结合高铝‑碳化硅预制件的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：a、按重量份取矾土颗粒45~70份、莫来石颗粒0~22份、红柱石颗粒0~18份、矾土细粉0~8 份、刚玉细粉0‑10份、碳化硅颗粒及细粉5‑12份、纯铝酸钙水泥1~5份、二氧化硅微粉0~6份、氧化铝微粉3~8 份和硅粉3‑10份，以及上述原料重量份之和的0.05‑0.30份减水剂，将上述原料均匀混合，并加水搅拌均匀后振动浇注成型，制成预制件坯体；b、将a步骤制备的预制件坯体置于25‑50℃的环境中养护12‑24h后脱模，在300℃的条件下进行干燥处理，之后自然冷却到室温；c、将经b步骤处理后的预制件坯体置于氮化炉中进行氮化烧成，在纯度≥99.9%的流动氮气气氛下，以30‑150℃/小时的速率升温至1150~1180℃，保温1‑8h；以20‑100℃/小时的速率升温至1220‑1260℃，保温2‑10小时；以20‑100℃/小时的速率继续升温至1350℃保温1‑8小时；最后以30‑120℃/小时的速率升温至1370‑1480℃，保温3‑12小时；冷却至600℃时关闭氮气，继续冷却至室温后，即得到 氧氮化硅结合高铝‑碳化硅预制件，预制件中氧氮化硅的重量份数为8‑35%。