[发明专利]插入匀化电流结构的发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201410087810.5 | 申请日： | 2014-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN103811610A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 郭恩卿;伊晓燕;刘志强;陈宇;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种插入了匀化电流结构的发光器件及其制造方法。该插入匀化电流结构的发光器件，包括：第一电极层；在所述第一电极层上的p型简并半导体层；在所述p型简并半导体层上的n型简并半导体层；在所述n型简并半导体层上的p型半导体层；在所述p型半导体层上的有源层；在所述有源层上的n型半导体层；以及在所述n型半导体层上的第二电极层。利用本发明，可以有效地提高半导体元器件工作时的电流分布均匀性，对改善半导体元器件光、电、热性能以及提高使用寿命有很重要的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 插入 电流 结构 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种插入匀化电流结构的发光器件，包括：第一电极层；在所述第一电极层上的p型简并半导体层；在所述p型简并半导体层上的n型简并半导体层；在所述n型简并半导体层上的p型半导体层；在所述p型半导体层上的有源层；在所述有源层上的n型半导体层；以及在所述n型半导体层上的第二电极层。
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