[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供半导体装置以及半导体装置的制造方法。根据一个实施方式，半导体装置具备存储单元、伪栅极和层间绝缘膜。上述存储单元具备在半导体基板上相互隔开间隔而排列的多个字线和在上述排列的端部在与上述字线之间隔开间隔设置的选择晶体管。上述伪栅极构成为宽度尺寸比上述字线的在上述排列方向上的宽度尺寸大，且设置在上述字线的端部与上述选择晶体管之间。上述层间绝缘膜设置在包含上述字线、上述伪栅极以及上述选择晶体管的区域上方、与相邻的各字线、上述伪栅极以及上述选择晶体管之间，在相邻的上述字线之间具有空洞。

主权项

一种半导体装置，具备：存储单元，具备在半导体基板上相互隔开间隔而排列的多个字线和在上述排列的端部在与上述字线之间隔开间隔设置的选择晶体管；伪栅极，构成为宽度尺寸比上述字线的在上述排列方向上的宽度尺寸大，且设置在上述字线的端部与上述选择晶体管之间；以及层间绝缘膜，设置在包含上述字线、上述伪栅极及上述选择晶体管的区域的上方、以及相邻的各字线、上述伪栅极及上述选择晶体管之间，且在相邻的上述字线之间具有空洞。