[发明专利]TaCN硬质纳米结构薄膜及制备方法有效
申请号: | 201410089147.2 | 申请日: | 2014-03-12 |
公开(公告)号: | CN103952672B | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 喻利花;许俊华;黄婷 | 申请(专利权)人: | 江苏科技大学 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/06;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 212003*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本文发明公开了一种TaCN硬质纳米结构薄膜,其特征在是采用双靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上的,薄膜分子式表示为Ta(C,N),厚度在1‑3μm。沉积时,真空度优于3.0×10‑3Pa,以氩气起弧,氮气为反应气体进行沉积,溅射气压0.3Pa、氩氮流量比10:(2‑5),Ta靶溅射功率80‑150W,C靶溅射功率0‑80W。所得硬质涂层综合具备了高硬度,高耐磨性的优良特点。 | ||
搜索关键词: | tacn 硬质 纳米 结构 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
TaCN硬质纳米结构薄膜的制备方法,其特征在于,利用双靶共焦射频反应法在硬质合金或陶瓷基体上沉积得到;沉积时,真空度优于3.0×10‑3Pa,以氩气起弧,氮气为反应气体进行沉积,溅射气压0.3Pa、氩氮流量比10:(2‑5),Ta靶溅射功率100W,C靶溅射功率为40‑60W;而且在基体上预先沉积纯Ta作为过渡层。
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