[发明专利]成像传感器结构和方法有效

专利信息
申请号: 201410090101.2 申请日: 2014-03-12
公开(公告)号: CN104051487B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 高敏峰;杨敦年;刘人诚;庄俊杰;洪丰基;蔡纾婷;林政贤;蔡双吉;许文义 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L23/482;H01L21/60
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了用于制造三维(3D)图像传感器结构的方法的实施例。该方法包括提供在其中形成图像传感器并且在其上形成第一互连结构的图像传感器衬底、以及在其中形成逻辑电路并且在其上形成第二互连结构的逻辑衬底;以第一和第二互连结构夹置在逻辑衬底和图像传感器衬底之间的构造,将逻辑衬底接合至图像传感器衬底;以及形成从逻辑衬底延伸到第一互连结构的导电部件,由此将逻辑电路电耦合至图像传感器。本发明还提供了图像传感器结构。
搜索关键词: 成像 传感器 结构 方法
【主权项】:
一种用于制造三维(3D)图像传感器结构的方法,包括:提供其中形成有图像传感器且其上形成有第一互连结构的图像传感器衬底、以及其中形成有逻辑电路且其上形成有第二互连结构的逻辑衬底;以所述第一互连结构和所述第二互连结构夹置在所述逻辑衬底和所述图像传感器衬底之间的构造,将所述逻辑衬底接合到所述图像传感器衬底;以及形成从所述逻辑衬底延伸到所述第一互连结构的导电部件,由此将所述逻辑电路电耦合至所述图像传感器,其中,所述导电部件在所述第一互连结构中占用的面积比在所述第二互连结构中占用的面积小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410090101.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top