[发明专利]成像传感器结构和方法有效
申请号: | 201410090101.2 | 申请日: | 2014-03-12 |
公开(公告)号: | CN104051487B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 高敏峰;杨敦年;刘人诚;庄俊杰;洪丰基;蔡纾婷;林政贤;蔡双吉;许文义 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/482;H01L21/60 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了用于制造三维(3D)图像传感器结构的方法的实施例。该方法包括提供在其中形成图像传感器并且在其上形成第一互连结构的图像传感器衬底、以及在其中形成逻辑电路并且在其上形成第二互连结构的逻辑衬底;以第一和第二互连结构夹置在逻辑衬底和图像传感器衬底之间的构造,将逻辑衬底接合至图像传感器衬底;以及形成从逻辑衬底延伸到第一互连结构的导电部件,由此将逻辑电路电耦合至图像传感器。本发明还提供了图像传感器结构。 | ||
搜索关键词: | 成像 传感器 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制造三维(3D)图像传感器结构的方法,包括:提供其中形成有图像传感器且其上形成有第一互连结构的图像传感器衬底、以及其中形成有逻辑电路且其上形成有第二互连结构的逻辑衬底;以所述第一互连结构和所述第二互连结构夹置在所述逻辑衬底和所述图像传感器衬底之间的构造,将所述逻辑衬底接合到所述图像传感器衬底;以及形成从所述逻辑衬底延伸到所述第一互连结构的导电部件,由此将所述逻辑电路电耦合至所述图像传感器,其中,所述导电部件在所述第一互连结构中占用的面积比在所述第二互连结构中占用的面积小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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