[发明专利]集成电路中的电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 201410090637.4 | 申请日： | 2014-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104051233B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | M·勒纳;S·阿里苏 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了集成电路中的电容器及其制造方法。在一个实施例中，电容器包括含有并联耦合的第一电容器元件和第二电容器元件的第一行，以及含有并联耦合的第三电容器元件和第四电容器元件的第二行。第一行与第二行串联连接。在工件上的金属化层中，第二电容器元件被放置在第一电容器元件和第三电容器元件之间。在金属化层中，第三电容器元件被放置在第二电容器元件和第四电容器元件之间。第一、第二、第三和第四电容器元件被放置在金属化层中。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 中的 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造电容器阵列的方法，所述方法包括：形成包括串联耦合的第一电容器元件和第二电容器元件的第一列；以及形成包括串联耦合的第三电容器元件和第四电容器元件的第二列，其中所述第一列与所述第二列并联耦合，其中所述第二电容器元件被放置在金属化层内的所述第一电容器元件和所述第四电容器元件之间，其中所述第四电容器元件被放置在所述金属化层内的所述第二电容器元件和所述第三电容器元件之间；所述第一电容器元件包括第一板和第二板；所述第二电容器元件包括第三板和第四板；所述第一板通过第一电阻器耦合至所述第二板；以及所述第三板通过第二电阻器耦合至所述第四板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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