[发明专利]一种复合结构的金属石墨烯及其制备方法有效
| 申请号： | 201410090749.X | 申请日： | 2014-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103887352A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 刘锋;郝英华;赵晓静;宋聪欣;陈陆懿;石旺舟 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028;H01L31/18;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 刘懿 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合结构的金属石墨烯及其制备方法，所述金属石墨烯由双联通分相结构的纳米多孔金和石墨烯薄膜组成，石墨烯薄膜覆盖在纳米多孔金上。本发明的纳米多孔金结构可以极大增强表面电场，从而提高电场与石墨烯相互作用效率，使得该复合结构能有效增强石墨烯在可见光波段的光吸收率，因此在基于石墨烯的光电探测器制造等领域有广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 结构 金属 石墨 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种复合结构的金属石墨烯，其特征在于，所述金属石墨烯由双联通分相结构的纳米多孔金和石墨烯薄膜组成，石墨烯薄膜覆盖在纳米多孔金上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
