[发明专利]一种基于SIW的毫米波芯片气密性封装结构有效
| 申请号： | 201410094355.1 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103904396A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 王绍东;高艳红;吴洪江 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01P3/16 | 分类号： | H01P3/16 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于SIW的毫米波芯片气密性封装，属于半导体技术领域。本发明包括自上而下依次密封连接的底座、LTCC基板、密封环以及盖板；底座的中央凸台；LTCC基板绕凸台四周设置，且由上下排列的、上表面都涂有金属层的信号传输层和陶瓷腔体层组成，信号传输层其中一对相对的两边为传输射频信号的SIW结构；密封环位于陶瓷腔体层的上部，盖板位于密封环的上方。本发明克服了现有技术中陶瓷管壳封装在毫米波损耗大的缺陷，并且适用频率越高，封装的损耗越小，达到了解决毫米波段微波单片集成电路、尤其是功放电路的密封性问题；重要的是本发明的实现工艺简单、便于加工，可间接带来较大的经济效益，具有较佳的推广前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 siw 毫米波 芯片 气密性 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种基于SIW的毫米波芯片气密性封装，其特征在于包括自上而下依次密封连接的底座（6）、LTCC基板、密封环（2）以及盖板（1）；其中底座（6）的中央设有烧结毫米波芯片的凸台（3）；LTCC基板绕凸台（3）四周设置，且由上下排列的陶瓷腔体层（4）和信号传输层（5）组成，陶瓷腔体层（4）和信号传输层（5）的上表面都涂有金属层，所述信号传输层（5）其中一对相对的两边为传输射频信号的SIW结构；密封环（2）位于陶瓷腔体层（4）的上部； 盖板（1）位于密封环（2）的上方，两者密封配合。
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