[发明专利]半导体布置及其形成

摘要

提供一种半导体布置和形成方法。半导体形成方法包括使用单一光刻胶以掩蔽将形成低压器件的区域以及高压器件的栅极结构，同时执行高压器件的高能量注入。半导体制造的另一种方法包括通过图案化的光刻胶执行高压器件的高能量注入，其中，在形成高压器件的栅极结构之前并且在形成低压器件的栅极结构之前，光刻胶被图案化。在执行高能量注入之后，执行随后处理以形成高压器件和低压器件。从而在CMOS处理中形成高压器件和低压器件而不需要附加掩模。

主权项

一种半导体制造方法，包括：形成具有第一工作电压的多个第一晶体管，所述多个第一晶体管包括在衬底的第一晶体管区域之上的多个第一栅极结构、邻近所述多个第一栅极结构的多个低压浅阱、以及邻近所述多个第一栅极结构的多个低压口袋注入区；以及邻近所述多个第一晶体管形成具有第二工作电压的多个第二晶体管，形成所述多个第二晶体管包括：在所述多个第一栅极结构之上、在所述第一晶体管区域之上并且在多个第二栅极结构之上形成第一高压光刻胶，所述多个第二栅极结构在所述衬底的第二晶体管区域之上，使得暴露邻近所述多个第二栅极结构的所述衬底的多个高压注入区和所述多个第二栅极结构的多个第二栅极顶部；以第一高能量执行高压LDD注入，以将第一高压掺杂物注入到所述多个高压注入区中，从而形成邻近所述多个第二栅极结构的多个高压浅阱；以及以第二高能量执行高压口袋注入，以将第二高压掺杂物注入到所述多个高压注入区中，从而形成邻近所述多个第二栅极结构的多个高压口袋注入区。