[发明专利]脉冲线束有效
| 申请号： | 201410095844.9 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104051244B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | J·M·哈登;S·R·卡尔森;R·J·马丁森 | 申请（专利权）人： | 恩耐公司 |
| 主分类号： | B23K26/00 | 分类号： | B23K26/00;B23K26/08;H01L21/02;H01S5/042;H01S5/40;B23K26/0622;B23K1/005 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 美国华*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 诸如对非晶硅进行退火，以形成多晶硅的处理使用曝光至由激光二极管或激光二极管阵列提供的脉冲激光束。基于来自相应的激光二极管的多个束的光束被成形且被引导到衬底。所述激光二极管的占空比被选择成小于约0.2，使得°s可以大于连续波运行中可用的。刚性衬底或柔性衬底上的非晶硅层被处理，以产生具有至少50cm2/Vs的迁移率的多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 | ||
【主权项】：
一种使用脉冲激光二极管以进行材料处理的方法，包括：选择一个具有非晶硅层的衬底；通过组合来自至少第一激光二极管和第二激光二极管的脉冲光束来成形一个脉冲光束，以形成一个光线束，其中由第一激光二极管和第二激光二极管产生的脉冲光束的波长在780nm和980nm之间，并且第一激光二极管和第二激光二极管具有相差至少25nm的发射波长；通过将所述衬底曝光至所述光线束来处理所述衬底的非晶硅层，从而产生多晶硅层，其中曝光区域对应于所述光线束的横截面面积。
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