[发明专利]双端存储器的通态电流的控制无效
| 申请号： | 201410096601.7 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104051620A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | K·H·金;P·卢;C·C·陈;赵星贤 | 申请（专利权）人： | 科洛斯巴股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;陈英俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了包括双端存储部分的存储器器件的制造、构建和/或组装。该双端存储器器件的制造，结合在更大可能范围上对通态电流的精确调整，能够提供增强的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 电流 控制 | ||
【主权项】：
一种存储器器件，包括：衬底层；以及双端存储层，包括活性金属层、电阻型开关材料（RSLM）层、电阻层和欧姆接触层；其中所述电阻层包括位于非晶相的第二半导体材料之上的多晶相的第一半导体材料。
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