[发明专利]一种用于加工载体的方法有效
| 申请号： | 201410096705.8 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104051274B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | M.伦克;S.特根 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 申屠伟进,胡莉莉 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于加工载体的方法可以包括在载体上方和在载体中的至少一个中形成多个结构元件，其中所述多个结构元件中的至少两个邻近结构元件具有彼此之间的第一距离；在所述多个结构元件上方沉积第一层，该第一层具有等于所述至少两个邻近结构元件之间的第一距离的厚度；在第一层上方形成至少一个附加层，其中所述至少一个附加层覆盖第一层的暴露表面；移除所述至少一个附加层的部分以便部分地暴露第一层；以及部分地移除第一层，其中所述至少两个邻近结构元件的至少一个侧壁部分地暴露。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 加工 载体 方法 | ||
【主权项】：
一种用于加工载体的方法，该方法包括：在载体上方和在载体中的至少一个中形成多个结构元件，其中所述多个结构元件中的至少两个邻近结构元件具有彼此之间的第一距离；在所述多个结构元件上方沉积第一层，该第一层具有等于所述至少两个邻近结构元件之间的第一距离的厚度；在第一层上方形成至少一个附加层，其中所述至少一个附加层覆盖第一层的暴露表面；移除所述至少一个附加层的部分以便部分地暴露第一层；部分地移除第一层，其中部分地暴露所述至少两个邻近结构元件的至少一个侧壁，其中所述多个结构元件中的至少两个邻近结构元件具有比第一距离的二倍更大的彼此之间的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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