[发明专利]ESD保护电路有效
申请号: | 201410097356.1 | 申请日: | 2014-03-14 |
公开(公告)号: | CN104051454B | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 赖大伟;李明 | 申请(专利权)人: | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人: | 程伟,王锦阳 |
地址: | 新加坡,*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及ESD保护电路,提出一种装置,该装置具有定义有装置区域的基板。该装置区域包含具有晶体管的ESD保护电路。该晶体管包含具有第一和第二侧的栅极、邻近该栅极的该第一侧而设置的第一扩散区域、以及离开该栅极的该第二侧的第二扩散区域。该装置包含涵盖该装置区域的第一装置井、及设置于该第一装置井内的第二装置井。该第二装置井涵盖该第一扩散区域和至少一部分该栅极。该装置也包含设置在该第二装置井内的第三井、以及涵盖该第二扩散区域并且延伸至该栅极下方的漏极井。 | ||
搜索关键词: | esd 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:基板,定义有装置区域,该装置区域包括具有晶体管的ESD保护电路,其中,该晶体管包含:栅极,具有第一和第二侧,第一扩散区域,邻近该栅极的该第一侧,以及第二扩散区域,离开该栅极的该第二侧,其中,该第一和第二扩散区域包括第一极性的掺质;涵盖该装置区域的第一装置井及设置于该第一装置井内的第二装置井,其中,该第二装置井涵盖该第一扩散区域及至少一部分该栅极,而没有涵盖该第二扩散区域;第三井,设置于该第二装置井内;漏极井,涵盖该第二扩散区域并延伸至该栅极下方,其中,该漏极井与该第三井接触;以及硅化物挡件,设置于该栅极的顶表面并延伸至该第二扩散区域上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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