[发明专利]金属内连线结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410097407.0 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104934411A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 薛家倩 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种金属内连线结构，其包括衬底、介电层、导体镶嵌结构、第一阻障层与第二阻障层。介电层位于衬底上，介电层具有开口，裸露出衬底，导体镶嵌结构位于开口中，导体镶嵌结构的顶面低于介电层的顶面，第一阻障层位于介电层与导体镶嵌结构之间以及衬底与导体镶嵌结构之间，第二阻障层位于开口中，覆盖所述导体镶嵌结构的顶面。本发明可以避免金属原子的扩散与迁移，还可防止氧化、腐蚀、形变或流失，增加金属内连线结构的稳定性与可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 连线 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属内连线结构，其特征在于包括：介电层，位于衬底上，该介电层具有开口，裸露出该衬底；导体镶嵌结构，位于该开口中，该导体镶嵌结构的顶面低于该介电层的顶面；第一阻障层，位于该介电层与该导体镶嵌结构之间以及该衬底与该导体镶嵌结构之间；以及第二阻障层，位于该开口中，覆盖该导体镶嵌结构的顶面。
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