[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201410097920.X | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104934375A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供具有NMOS区和PMOS区的半导体衬底，其上形成有伪栅极结构，伪栅极结构的两侧形成有偏移侧墙；实施第一低掺杂离子注入，在PMOS区中形成第一低掺杂源/漏区；在PMOS区上的偏移侧墙的两侧形成侧墙，在PMOS区的将要形成源/漏区的部分中形成嵌入式锗硅层；实施第二低掺杂离子注入，在NMOS区中形成第二低掺杂源/漏区；在NMOS区上的偏移侧墙的两侧形成侧墙，在NMOS区的将要形成源/漏区的部分中形成嵌入式碳硅层。根据本发明，可以避免后形成嵌入式锗硅层时的高温工艺以及氢气氛围对在先形成的NMOS区的低掺杂源/漏区和袋状区以及嵌入式碳硅层的负面影响，确保NMOS的性能不受影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供具有NMOS区和PMOS区的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有伪栅极结构，在所述伪栅极结构的两侧形成有偏移侧墙；实施第一低掺杂离子注入，以在所述PMOS区中形成第一低掺杂源/漏区；在所述PMOS区上的偏移侧墙的两侧形成侧墙，在所述PMOS区的将要形成源/漏区的部分中形成嵌入式锗硅层；实施第二低掺杂离子注入，以在所述NMOS区中形成第二低掺杂源/漏区；在所述NMOS区上的偏移侧墙的两侧形成侧墙，在所述NMOS区的将要形成源/漏区的部分中形成嵌入式碳硅层；去除伪栅极结构，分别在NMOS区和PMOS区上形成第一高k‑金属栅极结构和第二高k‑金属栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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