[发明专利]制备硫化亚锡纳米片阵列薄膜的方法

摘要

一种纳米材料制备技术领域的制备硫化亚锡纳米片阵列薄膜的方法，所用的锡源为氯化亚锡，硫源为硫代乙酰胺，螯合剂为三乙醇胺，采用原位溶剂热法制备具有规则的纳米片阵列薄膜。首先将亚锡盐溶于三乙醇胺、丙酮以及柠檬酸钠溶液中，再加入氨水调节PH，加入硫源后，最后混合溶剂体积比为1:1的水/乙二醇加入，得到SnS前体反应液。反应液并加入反应釜，再插入玻璃片，进行溶剂热原位反应，即可得到具有规则的纳米片阵列薄膜。本发明方法简单，成本低，阵列均一，纳米片厚度为4～8nm，长度约为150～210nm，这为硫化亚锡在太阳能电池、光催化、锂离子电池及超级电容器的应用提供一种有效的方法。

主权项

一种制备硫化亚锡纳米片阵列薄膜的方法，其特征在于，将锡源与硫源混合于水/乙二醇混合溶剂中配制出SnS前体化学反应溶液，再将导电基底快速置于盛放SnS前体化学反应溶液的聚四氟乙烯反应釜内并进行原位溶剂热反应，使得厚度为30±5nm，长度为200～300nm的硫化亚锡纳米片阵列薄膜均匀生长于导电基底的表面；所述的原位溶剂热反应是指：将聚四氟乙烯反应釜密封后置于马弗炉中加热至100℃～240℃并反应2h～120h；所述的锡源为氯化亚锡，所述的硫源为硫代乙酰胺。