[发明专利]沟槽功率器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410098316.9 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103871901B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 沈思杰;黄锦才 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽功率器件及其制作方法，其中，所述制作方法包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行热氧化；在所述半导体衬底上形成外延层；在所述外延层内形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽的内壁形成栅极氧化层；沉积栅极材料于所述栅极氧化层上。本发明通过在形成外延层之前对半导体衬底进行热氧化，并去除由此产生的热氧化层，减小了因半导体衬底中氧杂质含量升高而降低击穿电压对沟槽功率器件造成的影响，从而达到稳定沟槽功率器件击穿电压的效果，提高沟槽功率器件的性能，同时不会对沟槽功率器件的其他参数造成影响。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底；对所述半导体衬底进行热氧化工艺；在所述半导体衬底上形成氧化层，然后采用湿刻的方法去除在该过程中形成的氧化层；在所述半导体衬底上形成外延层；在所述外延层内形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽的内壁形成栅极氧化层；沉积栅极材料于所述的栅极氧化层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
