[发明专利]电可擦可编程只读存储器以及操作方法在审
| 申请号： | 201410098537.6 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103839587A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 杨光军;胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种电可擦可编程只读存储器的操作方法，包括：选择需进行擦除操作的所述存储单元；需擦除的所述存储单元耦合的位线施加第一电压，需擦除的所述存储单元耦合的字线施加第二电压，需擦除的所述存储单元耦合的控制栅施加第三电压，以对需擦除的所述存储单元进行擦除操作；其中，所述第一电压与所述第三电压之间的电压差大于所述第二电压与所述第三电压之间的电压差。本发明还揭示了一种使用上述的操作方法的电可擦可编程只读存储器。采用本操作方法的电可擦可编程只读存储器无需设置开关单元，即可实现所述存储单元的擦除操作，并且同一行的其它所述存储单元不受影响，从而节约电可擦可编程只读存储器的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 电可擦 可编程 只读存储器 以及 操作方法 | ||
【主权项】：
一种电可擦可编程只读存储器的操作方法，其特征在于，所述电可擦可编程只读存储器包括：多行及多列存储单元多个字线，所述多个字线耦合到所述多行存储单元多个位线，所述多个位线耦合到所述多列存储单元多个控制栅，所述多个控制栅耦合到所述多行存储单元所述电可擦可编程只读存储器的操作方法包括选择需进行擦除操作的所述存储单元需擦除的所述存储单元耦合的位线施加第一电压，需擦除的所述存储单元耦合的字线施加第二电压，需擦除的所述存储单元耦合的控制栅施加第三电压，以对需擦除的所述存储单元进行擦除操作其中，所述第一电压与所述第三电压之间的电压差大于所述第二电压与所述第三电压之间的电压差。
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