[发明专利]存储器单元、电可擦除可编程只读存储器及其控制方法在审
| 申请号： | 201410098682.4 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103886905A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 顾靖 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 在本发明提供的存储器单元、电可擦除可编程只读存储器及其控制方法中，通过增加控制栅的长度使其与浮栅的长度相等并通过有源区控制擦除操作，在增加所述控制栅与浮栅之间的耦合系数的同时，使得字线与半导体衬底之间的栅氧化层得以减薄，从而提高了所述电可擦除可编程只读存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 擦除 可编程 只读存储器 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器单元，其特征在于，包括：半导体衬底、字线、第一有源区和第二有源区；所述字线、第一有源区和第二有源区均位于所述半导体衬底的上面，所述字线位于所述第一有源区和第二有源区之间；所述字线与所述第一有源区之间设置有第一控制栅和第一浮栅，所述第一控制栅位于所述第一浮栅的上方；所述字线与所述第二有源区之间设置有第二控制栅和第二浮栅，所述第二控制栅位于所述第二浮栅的上方；其中，所述第一控制栅、第二控制栅、第一浮栅和第二浮栅的长度均相等。
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