[发明专利]MOSFET失配测试结构及测试方法在审
| 申请号： | 201410098683.9 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103839924A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 范象泉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种MOSFET失配测试结构及测试方法，所述MOSFET失配测试结构包括：多个检测单元，每个检测单元相互独立，所述多个检测单元呈阵列排布，所述阵列为m×n结构；其中，所述m、n为大于1的正整数。在进行测试时，分别测量所述多个检测单元的电参数，以任意一个检测单元的电参数为基准分别算得其他检测单元的电参数与该检测单元的电参数的差值，能够获得多个电参数的差值，从而提高了数据的可信度。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 失配 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种MOSFET失配测试结构，其特征在于，包括：多个检测单元，每个检测单元相互独立，所述多个检测单元呈阵列排布，所述阵列为m×n结构；其中，所述m、n为大于1的正整数。
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