[发明专利]一种可控温旋涂制备有机半导体/铁电复合阻变薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 201410099004.X 申请日: 2014-03-18
公开(公告)号: CN103943777A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 朱国栋;胡静航;张剑驰 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 张磊
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种利用可控温旋涂技术高效率制备一种具有阻变特性的有机半导体/铁电复合薄膜的方法。铁电聚合物和有机半导体溶于四氢呋喃溶剂中并制备成混合溶液,在特定旋涂环境温度下,将混合溶液滴涂于干净基片表面,并旋涂成膜。通过对旋涂时环境温度的精确调控,可实现低表面粗糙度、高阻变性能的有机半导体/铁电复合薄膜的制备。
搜索关键词: 一种 可控 温旋涂 制备 有机半导体 复合 薄膜 方法
【主权项】:
一种可控温旋涂制备有机半导体/铁电复合薄膜的方法,其特征在于采用可控温旋涂系统实现,所述可控温旋涂系统包括温控装置和温控仪,所述温控装置为一密封空腔,腔壁四周环绕电阻丝,电阻丝经220V电源通电加热,温控装置内温度由Pt100温度探头测量,所述Pt100温度探头由温控仪测控,温控装置内底部放置有旋涂机,所述旋涂机上部设有旋涂台,旋涂台上放置衬底;温控装置顶部开孔,设有滴液口,混合溶液从滴液口滴入温控装置内;具体步骤如下:(1) 将铁电聚合物偏二氟乙烯与三氟乙烯的共聚物P(VDF‑TrFE)溶于溶剂四氢呋喃中,配制质量浓度为1%-4%的溶液;(2) 将有机半导体P3HT材料溶于步骤(1)得到的已溶有P(VDF‑TrFE)的四氢呋喃溶液中,配制成混合溶液,其中:有机半导体P3HT材料与P(VDF‑TrFE)的质量比为1:100‑1:10;(3) 将步骤(2)得到的混合溶液涂布于可控温旋涂系统的洁净衬底表面,采用旋涂工艺,经旋涂成膜,待溶剂四氢呋喃完全挥发后,即可获得有机半导体/铁电复合结构薄膜。
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