[发明专利]形成FinFET半导体设备的低缺陷取代鳍部的方法及其所产生的设备有效
| 申请号： | 201410099173.3 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104051539B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | J·弗伦海泽;A·P·雅各布;W·P·马斯莎拉;K·阿卡瓦尔达 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/04;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文涉及形成FinFET半导体设备的低缺陷取代鳍部的方法及其所产生的设备，揭露一种包括基底鳍部的例示性设备，基底鳍部形成于由第一半导体材料所构成的基底中，其中基底鳍部的至少一个侧壁实质处于基底的晶体结构的<100>结晶方向，取代鳍部结构位于基底鳍部之上，其中取代鳍部结构由不同于第一半导体材料的半导体材料所构成，以及闸极结构位于取代鳍部结构的至少一部分附近。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 finfet 半导体设备 缺陷 取代 方法 及其 产生 设备 | ||
【主权项】：
一种半导体设备，包含：基底鳍部，形成于由具有晶体结构的第一半导体材料所构成的基底中，其中，该基底鳍部的至少一个侧壁处于该基底的该晶体结构的<100>结晶方向；取代鳍部结构，位于该基底鳍部之上，该取代鳍部结构由不同于该第一半导体材料的半导体材料所构成；绝缘材料的层，置于该基底上且覆盖该基底鳍部的该侧壁及该取代鳍部结构的侧壁的一部分；以及栅极结构，位于该取代鳍部结构的至少一部分附近，其中该栅极结构包括形成在该绝缘材料的该层的曝露表面、该取代鳍部结构的顶部表面、以及该取代鳍部结构的该侧壁的其他部分上的栅极绝缘层。
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