[发明专利]与半导体器件的端接区相关的装置有效
| 申请号： | 201410099242.0 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104051503B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·A·叶季纳科;迪安·E·普罗布斯特;理查德·斯托克斯;金洙丘;杰森·希格斯;弗雷德·塞西诺;陈晖;史蒂文·P·萨普;杰森·普雷切;M·L·莱因海默 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个总的方面，本发明提供了一种装置，该装置可包括半导体区以及限定在所述半导体区内的槽。所述槽可具有沿着竖向轴线对齐的深度并具有沿着与所述竖向轴线正交的纵向轴线对齐的长度。所述槽可具有包括在所述半导体区的端接区中的长度的第一部分，并可具有包括在所述半导体区的有源区中的长度的第二部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 端接 相关 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n半导体区；/n第一槽，其限定在所述半导体区内，所述第一槽具有沿着竖向轴线对齐的深度并且具有沿着与所述竖向轴线正交的第一纵向轴线对齐的长度，所述第一槽具有包括在所述半导体区的端接区中的所述长度的第一部分并且具有包括在所述半导体区的有源区中的所述长度的第二部分；/n屏蔽电极，其设置在所述第一槽中；以及/n电介质，其为所述第一槽的底部部分形成内衬，所述电介质具有设置在所述半导体区的所述端接区中的第一部分以及设置在所述半导体区的所述有源区中的第二部分，所述电介质的设置在所述端接区中的所述第一部分具有大于所述电介质的设置在所述有源区中的所述第二部分的竖直厚度的竖直厚度，所述电介质的所述第一部分的竖直厚度在所述端接区中在所述第一槽的底部表面与所述屏蔽电极的底部表面之间延伸，所述电介质的所述第二部分的竖直厚度在所述有源区中在所述第一槽的底部表面与所述屏蔽电极的底部表面之间延伸。/n
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