[发明专利]非易失性存储装置、读取数据方法、存储系统及操作方法有效
| 申请号： | 201410099431.8 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104051016B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 金经纶;尹翔镛 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张云珠;李云霞 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种非易失性存储装置、读取数据方法、存储系统及操作方法。在从非易失性存储装置读取数据的方法中，通过将第一读取电压施加到第一字线来执行针对结合到第一字线的存储单元的第一读取操作。执行第一读取重试操作以获得最佳读取电平而不管或不依赖于通过第一读取操作读取的数据是否是可纠错的，并存储所述最佳读取电平以使用所述最佳读取电平来执行随后的第二读取操作。也公开了相关方法和装置。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 读取 数据 方法 存储系统 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作非易失性存储装置的方法，所述方法包括：通过将第一读取电压施加到结合到存储装置的存储单元的第一字线，来执行读取操作以从所述存储单元读取数据；确定在所述读取操作中读取的数据通过纠错码是否是可纠错的；以及与在所述读取操作中读取的数据通过纠错码是否是可纠错无关地，执行读取重试操作以从所述存储单元读取数据；响应于读取重试操作，确定与第一读取电压不同的可纠错读取电压。
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