[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
申请号: | 201410099919.0 | 申请日: | 2014-03-18 |
公开(公告)号: | CN104064445B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 林航之介;古矢正明;大田垣崇;长嶋裕次;木名瀬淳;安部正泰 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子装置股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供在基板的干燥时能够使表面上的液体瞬时干燥的基板处理装置和基板处理方法。在基板处理装置(10)中包括对基板(W)的表面进行干燥的加热干燥机构(103),上述加热干燥机构(103)从下侧对基板(W)的在铅垂方向上朝向下方配置的表面进行加热,使通过加热作用在基板(W)的表面生成的挥发性溶剂的液珠利用重力落下除去,对基板的表面进行干燥。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其包括基板清洗室和基板干燥室,其特征在于:基板清洗室包括:以使具有图案的被处理的表面朝向上的方式保持基板并使其旋转的第一工作台;向旋转的所述基板的所述表面供给清洗液的清洗液供给部;和溶剂供给部,其向被供给有所述清洗液的所述基板的所述表面供给挥发性溶剂,并将所述基板的所述表面上的所述清洗液置换为所述挥发性溶剂,基板干燥室包括:以使具有所述图案的被处理的所述表面朝向下的方式保持所述基板的第二工作台;加热干燥机构,其具有配置在该第二工作台的下方并且向上方照射在波长500nm~3000nm之间包括峰值强度的光的灯、和在该灯的上部覆盖保护所述灯的保护罩,对朝向下的且在所述基板清洗室中被供给有所述挥发性溶剂的、所述基板中的被处理的所述表面进行加热,从所述基板的朝向下的所述表面除去所述挥发性溶剂,对所述基板的所述表面进行干燥;第一喷嘴,其设置在所述基板与所述加热干燥机构之间且比所述加热干燥机构的外周靠外侧的位置,从所述保护罩的外侧向所述保护罩吹出不活泼气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芝浦机械电子装置股份有限公司,未经芝浦机械电子装置股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410099919.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造