[发明专利]一种高解析度OLED器件及制造用掩膜板无效
申请号: | 201410100733.2 | 申请日: | 2014-03-18 |
公开(公告)号: | CN103872091A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 田朝勇 | 申请(专利权)人: | 四川虹视显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;C23C14/04;C23C14/24 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 周永宏 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的高解析度OLED器件包括呈矩阵排布的像素单元,单个像素单元包括四个像素,单个像素包括红、绿、蓝三色子像素;红、绿、蓝三色子像素在像素中按品字形排布,像素单元中相邻像素的红、绿、蓝三色子像素关于像素的公共边缘对称。有益效果在于制备方法基于业内成熟的FMM技术,但由于前述特别的像素排列方式,蒸镀有机发光材料所用的MASK采用网孔状设计,且每一个开孔对应四个子像素。这样在解析度相同的情况下,MASK开孔及连接桥的尺寸均更大。能够基于业内成熟的FMM技术制备高解析度的OLED显示屏,或者,在解析度相同的情况下,可以降低对MASK加工及OLED显示屏制程工艺的要求,有利于提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 解析度 oled 器件 制造 用掩膜板 | ||
【主权项】:
一种高解析度OLED器件,其特征在于,包括呈矩阵排布的像素单元,单个像素单元包括四个像素,单个像素包括红、绿、蓝三色子像素;红、绿、蓝三色子像素在像素中按品字形排布,像素单元中相邻像素的红、绿、蓝三色子像素关于像素的公共边缘对称。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的