[发明专利]一种氧化物替代式图形衬底的制备方法在审
| 申请号： | 201410101341.8 | 申请日： | 2014-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103887166A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 韩沈丹;缪炳有;张汝京;黄宏嘉 | 申请（专利权）人： | 西安神光安瑞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 倪金荣 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种氧化物替代式图形衬底的制备方法，包括以下步骤：1）在蓝宝石衬底表面生长一层SiO2薄膜；2）在长有SiO2薄膜的蓝宝石衬底表面旋涂一层光刻胶；3）通过步进式光刻机对步骤2）中的蓝宝石衬底进行曝光、显影后得到表面有圆柱型光刻胶掩膜的蓝宝石衬底；4）对步骤3）中的蓝宝石衬底进行湿法腐蚀；5）去除光刻胶，采用低浓度的BOE溶液对图形化的SiO2薄膜进行过腐蚀，利用湿法腐蚀制备出氧化物替代式图形衬底。本发明一种氧化物替代式图形衬底的制备方法，利用外延层在非蓝宝石表面难以单晶生长，通过控制图形衬底的蓝宝石面积，就可以增加外延横向生长，从而减少缺陷，改善外延层的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 替代 图形 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物替代式图形衬底的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：1）在蓝宝石衬底表面生长一层SiO2薄膜；2）在长有SiO2薄膜的蓝宝石衬底表面旋涂一层光刻胶；3）通过步进式光刻机对步骤2）中的蓝宝石衬底进行曝光、显影后得到表面有圆柱型光刻胶掩膜的蓝宝石衬底；4）对步骤3）中的蓝宝石衬底进行湿法腐蚀，SiO2薄膜在圆柱型光刻胶掩膜的保护下被BOE溶液腐蚀出特定的图形阵列，直至露出蓝宝石表面；5）去除光刻胶，采用稀释的BOE溶液对图形化的SiO2薄膜进行过腐蚀，利用湿法腐蚀制备出氧化物替代式图形衬底。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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