[发明专利]NbVN硬质纳米薄膜及制备方法有效
申请号: | 201410101562.5 | 申请日: | 2014-03-19 |
公开(公告)号: | CN103898456A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 许俊华;喻利花;胡红霞 | 申请(专利权)人: | 江苏科技大学 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/06;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 212003 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了NbVN硬质纳米薄膜及其制备方法,其特征在于薄膜分子式为(Nb,V)N,厚度为1~3μm,V含量为0~50at.%,该薄膜的摩擦系数在室温至700℃范围内随着温度的升高而降低。是利用双靶共焦射频反应法沉积在硬质合金或陶瓷基体上的,沉积时,真空度<3.0×10-3Pa,以氩气起弧,氮气为反应气体进行沉积;溅射气压0.3Pa、氩氮流量比10:(1~10),Nb靶溅射功率100W~300W,V靶溅射功率0~150W。本发明的制备方法具有高的生产效率,所得薄膜具有高硬度和优异的摩擦磨损性能,可作为高速、干式切削的纳米结构硬质薄膜。 | ||
搜索关键词: | nbvn 硬质 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
NbVN硬质纳米薄膜,其特征在于是采用双靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上得到的,薄膜分子式为(Nb,V)N,厚度为1~3μm,V含量为0~50at.%且大于0,NbVN薄膜的摩擦系数在室温至700℃范围随着温度的升高而降低。
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