[发明专利]基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201410102569.9 | 申请日： | 2014-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103840081A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 闫小兵;刘明;龙世兵;刘琦;吕杭炳;孙海涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器，该存储器包括：上电极；下电极；以及形成于上电极与下电极之间的钇铁石榴石薄膜。该存储器有如下特点：在室温下，钇铁石榴石薄膜结构为多晶态，可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非挥发性记忆器件。采用Pt或者Au作为器件的上下电极，器件表现出双极型开关阻变存储器。本发明还公开了一种基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器的制备方法，上下电极薄膜材料采用电子束蒸发设备制得，存储介质钇铁石榴石薄膜采用磁控溅射设备制得。本发明的存储器器件具有结构简单，易集成，成本低，与传统的硅平面CMOS工艺兼容等优点，有利于本发明的广泛推广和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铁石 挥发 电阻 转变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器，其特征在于，该存储器包括：上电极；下电极；以及形成于上电极与下电极之间的钇铁石榴石薄膜。
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