[发明专利]一种多晶硅铸锭方法在审
| 申请号： | 201410103001.9 | 申请日： | 2014-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN104928755A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;肖贵云;陈志军;金浩;徐志群;陈康平 | 申请（专利权）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 魏晓波 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅铸锭方法，采用坩埚底部第一层硅系形核源（包括硅、氧化硅及硅的其它硅系材料等一种或者多种的混合材料）；并在第一层形核源上喷涂氮化硅保护层；再在氮化硅层上铺设一层硅系形核源（这一层形核源可以与第一层形核源所用材料可以试相同或者不同、一种或者是多种混合材料）。与现有技术中铺设单一的形核源相比，本发明提供的多晶硅铸锭方法能够解决多晶铸锭高效多晶铸锭技术中单层形核源稳定性差且质量低等问题，提高现有单层形核源硅片质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 铸锭 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅铸锭方法，包括步骤S1铺设形核源、S2填料和S3熔化长晶，其特征在于，步骤S1铺设形核源为在坩埚底部铺设多层形核源，相邻的两层形核源之间喷涂脱模剂形成保护层。
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