[发明专利]光电二极管、其制作方法及图像传感器件

摘要

本申请公开了一种光电二极管、其制作方法及图像传感器件。其中光电二极管包括N型掺杂区，形成在衬底的内部；第一P型掺杂区，形成在N型掺杂区的内部；第二P型掺杂区，形成在衬底中，位于N型掺杂区上方，且下表面与N型掺杂区相连。该制作方法包括对衬底的上表面进行掺杂形成N型掺杂预备区；对N型掺杂预备区的内部进行掺杂，形成第一P型掺杂区；对衬底的上表面进行二次掺杂，以在第一P型掺杂区的上方形成第二P型掺杂区，并形成与第二P型掺杂区下表面相连的N型掺杂区。上述光电二极管中第一P型掺杂区会在N型掺杂区中形成PN结耗尽层，进而能够提高光电二极管的光电转换效率。

主权项

一种光电二极管，其特征在于，所述光电二极管包括：N型掺杂区，形成在衬底的内部；第一P型掺杂区，形成在所述N型掺杂区的内部；第二P型掺杂区，形成在所述衬底中，位于所述N型掺杂区上方，且下表面与所述N型掺杂区相连；所述光电二极管中，包括一个所述第一P型掺杂区时，所述第一P型掺杂区位于垂直于所述衬底表面的所述N型掺杂区的中心线上；包括多个所述第一P型掺杂区时，多个所述第一P型掺杂区对称地设置在垂直于所述衬底表面的所述N型掺杂区的中心线的两侧。