[发明专利]一种硅基上非晶硅与玻璃的阳极键合方法及其应用有效
| 申请号： | 201410104395.X | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103879954B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 董健;蒋恒;孙笠 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司33201 | 代理人： | 黄美娟,王兵 |
| 地址： | 310014 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅基绝缘层上非晶硅与玻璃的阳极键合方法，所述方法为（1）在硅基底面上沉积一层绝缘层；（2）以光刻胶作掩膜，对绝缘层进行刻蚀，将硅基底面与非晶硅将要连通的区域暴露出来形成开槽区；（3）在开设有开槽区的硅基底面的绝缘层上沉积一层非晶硅，非晶硅在所述的开槽区与硅基导通；（4）所述的非晶硅与玻璃进行阳极键合；当硅‑玻璃键合面区域存在高压敏感结构时，本发明方法使键合电流在阳极键合过程中不通过这些结构，以实现MEMS器件的电学性能保护，同时仍然保证非晶硅‑玻璃的键合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基上非晶硅 玻璃 阳极 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种硅基上非晶硅与玻璃的阳极键合方法，其特征在于所述方法按如下步骤进行：(1)在硅基底面上沉积一层绝缘层，所述绝缘层的材料选自SiO2、Si3N4或SiC；(2)以光刻胶作掩膜，对绝缘层进行刻蚀，将硅基底面与非晶硅将要连通的区域暴露出来形成开槽区；(3)在开设有开槽区的硅基底面的绝缘层上沉积一层非晶硅，非晶硅在所述的开槽区与硅基导通；(4)所述的非晶硅与玻璃进行阳极键合。
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