[发明专利]实现低噪声高效率电机驱动软换相控制的电路结构及方法有效

专利信息
申请号: 201410104484.4 申请日: 2014-03-20
公开(公告)号: CN103825508A 公开(公告)日: 2014-05-28
发明(设计)人: 田剑彪;王换飞 申请(专利权)人: 绍兴光大芯业微电子有限公司
主分类号: H02P6/14 分类号: H02P6/14
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 312000*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种实现低噪声高效率电机驱动软换相控制的电路结构及方法,其中包括第一PMOS场效应管、第二PMOS场效应管、感性负载、第一NMOS场效应管、第二NMOS场效应管、负载电流采样电阻、第一比较器、第二比较器、第一控制器和第二控制器,所述的第一控制器用以根据所述的第一比较器的输出结果控制第一PMOS场效应管的开闭,所述的第二控制器用以根据所述的第二比较器的输出结果控制第二PMOS场效应管的开闭。采用该种结构的实现低噪声高效率电机驱动软换相控制的电路结构及方法,可以减小换相冲击和可闻噪声,提高系统工作可靠性并节约系统成本,可以显著提高系统工作效率、提高功率密度并提高可靠性,具有更广泛的应用范围。
搜索关键词: 实现 噪声 高效率 电机 驱动 软换相 控制 电路 结构 方法
【主权项】:
一种实现低噪声高效率电机驱动软换相控制的电路结构,其特征在于,所述的电路结构包括:第一PMOS场效应管,该第一PMOS场效应管的输入端与供电电源相连接;第二PMOS场效应管,该第二PMOS场效应管的输入端与供电电源相连接;感性负载,该感性负载的第一端与所述的第一PMOS场效应管的输出端相连接,该感性负载的第二端与所述的第二PMOS场效应管的输出端相连接;第一NMOS场效应管,该第一NMOS场效应管的输入端与感性负载的第一端相连接;第二NMOS场效应管,该第二NMOS场效应管的输入端与感性负载的第二端相连接;负载电流采样电阻,该负载电流采样电阻的第一端分别与所述的第一NMOS场效应管的输出端和第二NMOS场效应管的输出端相连接,该负载电流采样电阻的第二端接地;第一比较器,该第一比较器的第一输入端输入第一渐变参考信号,该第一比较器的第二输入端与所述的负载电流采样电阻的第一端相连接;第二比较器,该第二比较器的第一输入端输入第二渐变参考信号,该第二比较器的第二输入端与所述的负载电流采样电阻的第一端相连接;第一控制器,用以根据所述的第一比较器的输出结果控制第一PMOS场效应管的开闭,该第一控制器连接于所述的第一比较器的输出端和第一PMOS场效应管之间;第二控制器,用以根据所述的第二比较器的输出结果控制第二PMOS场效应管的开闭,该第二控制器连接于所述的第二比较器的输出端和第二PMOS场效应管之间。
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