[发明专利]具有电源反接保护功能的CMOS调整集成电路结构

摘要

本发明涉及一种具有电源反接保护功能的CMOS调整集成电路结构，其中包括第一PMOS管；第三PMOS管；第一寄生二极管，第一寄生二极管的阳极与接地端相连接，第一寄生二极管的阴极与第一PMOS管的背栅极相连接；第三寄生二极管，第三寄生二极管的阳极与接地端相连接，第三寄生二极管的阴极与第三PMOS管的背栅极相连接；第一电阻，第一电阻的第一端与接电源端相连接，第一电阻的第二端分别与第一寄生二极管的阴极和第三寄生二极管的阴极相连接。采用该种结构的具有电源反接保护功能的CMOS调整集成电路结构，无需增加外围保护二极管即可实现电源反接保护，不影响集成电路的最低工作电压，具有更广泛应用范围。

主权项

一种具有电源反接保护功能的CMOS调整集成电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括：第一PMOS管，所述的第一PMOS管的源极与所述的电路结构的接电源端相连接；第三PMOS管，所述的第三PMOS管的源极与所述的电路结构的接电源端相连接，所述的第三PMOS管的漏极与所述的电路结构的电源输出端相连接；第一寄生二极管，所述的第一寄生二极管的阳极与接地端相连接，所述的第一寄生二极管的阴极与所述的第一PMOS管的背栅极相连接；第三寄生二极管，所述的第三寄生二极管的阳极与接地端相连接，所述的第三寄生二极管的阴极与所述的第三PMOS管的背栅极相连接；第一电阻，所述的第一电阻的第一端与接电源端相连接，所述的第一电阻的第二端分别与所述的第一寄生二极管的阴极和第三寄生二极管的阴极相连接。