[发明专利]一种MEMS器件切割方法有效

专利信息
申请号: 201410105966.1 申请日: 2014-03-20
公开(公告)号: CN104925741B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: 郑超;王伟 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 上海光华专利事务所31219 代理人: 李仪萍
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种MEMS器件切割方法,所述工艺包括提供边缘具有一第一刻痕的衬底晶圆,在所述第一刻痕两侧定义两条平行的预切割道;并在所述切割道上设置切割对准标记;提供边缘具有一第二刻痕的盖帽晶圆;将所述盖帽晶圆键合于所述衬底晶圆上,并使所述第二刻痕与所述第一刻痕呈对角对准;去除所述盖帽晶圆上边缘部分,暴露出所述衬底晶圆上的第一刻痕;对准所述第一刻痕和第二刻痕对应平行的两侧进行切割,暴露出所述预切割道上的切割对准标记;根据所述切割对准标记切割与所述预切割道垂直的切割道,并根据所述两条预切割道间的距离切割与所述预切割道平行的切割道。本发明通过精确的对准步骤准确找到切割对准标记,避免盲切引起的器件损伤,大大提高了切割工艺的可靠性,进而提高MEMS产品的产率。
搜索关键词: 一种 mems 器件 切割 方法
【主权项】:
一种MEMS器件切割方法,其特征在于,所述MEMS器件切割方法至少包括步骤:提供边缘具有一第一刻痕的衬底晶圆,在所述第一刻痕两侧定义两条平行的预切割道,并在所述预切割道上设置切割对准标记;所述衬底晶圆关于所述预切割道对称;提供边缘具有一第二刻痕的盖帽晶圆;将所述盖帽晶圆键合于所述衬底晶圆上,并使所述第二刻痕与所述第一刻痕呈对角对准;切割去除所述盖帽晶圆上除第二刻痕外的边缘部分,以暴露出所述衬底晶圆上的第一刻痕,其中,切割去除所述盖帽晶圆上除第二刻痕外的边缘部分的宽度为0.8~1.2mm;对准所述第一刻痕和第二刻痕对应平行的两侧进行预切割,暴露出所述预切割道上的切割对准标记;根据所述切割对准标记切割与所述预切割道垂直的切割道,并根据两条所述预切割道间的距离切割与所述预切割道平行的切割道,最终完成MEMS器件的切割工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410105966.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top