[发明专利]降低炉管工艺中Cu污染的炉管装置及其方法在审
| 申请号： | 201410106474.4 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103928367A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 江润峰;戴树刚;孙天拓 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种降低炉管工艺中Cu污染的炉管装置及其方法，其中，所述的炉管装置包括炉管主体、燃烧腔、水汽进气管；其中，所述燃烧腔通过所述水汽进气管与所述炉管主体连接，所述的水汽进气管进入炉管主体内部的顶部；所述的方法步骤包括对含有杂质的炉管进行预清洗后，将一定体积比的H2和O2点火燃烧，生成水汽，采用水汽去除炉管内的Cu元素，所述的预清洗采用Trans-LC工艺。本发明所述的装置及其方法，采用预清洗与高纯水汽结合清除炉管主体内部的Cu元素及其他杂质，从而降低炉管工艺中铜杂质的含量，降低金属污染，最终提高产品的良产率。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 炉管 工艺 cu 污染 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种降低炉管工艺中Cu污染的炉管装置，其特征在于，包括：炉管主体、燃烧腔、水汽进气管；其中，所述燃烧腔通过所述水汽进气管与所述炉管主体连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
