[发明专利]一种在线实时控制硅片背压的结构及方法

摘要

本发明提供了一种在线实时控制硅片背压的结构及方法，涉及半导体的制造工艺领域，包括硅片、承载台、内圈真空管道、外圈真空管道和控制器，硅片的背面包括内圈和外圈，硅片的背面与承载台连接，内圈真空管道和外圈真空管道分别通过压力吸附硅片背面的内圈和外圈，控制器分别与内圈真空管道和外圈真空管道连接，并分别控制内圈真空管道和外圈真空管道的压力。控制器根据硅片内圈和外圈的温度分别控制内圈真空管道和外圈真空管道的压力，以分别调节硅片内圈和外圈的背压，并最终控制硅片内圈和外圈的温度。本发明的技术方案能够有效的通过控制背压控制硅片内圈和外圈的温度，有效的得到工艺所需的各种膜厚形状。

主权项

一种在线实时控制硅片背压的结构，其特征在于，包括硅片、承载台、内圈真空管道、外圈真空管道和控制器，所述硅片的背面包括内圈和外圈，所述硅片的背面与所述承载台连接，所述内圈真空管道和外圈真空管道设于所述承载台上，所述内圈真空管道和外圈真空管道分别通过压力吸附所述硅片背面的内圈和外圈，所述控制器分别与所述内圈真空管道和外圈真空管道连接，并分别控制所述内圈真空管道和外圈真空管道的压力，还包括温度传感器，所述温度传感器分别与所述硅片的内圈、外圈以及控制器相连，并分别检测所述硅片内圈、外圈的温度并传递至所述控制器，以控制所述硅片内圈和外圈的温度。