[发明专利]控制栅极刻蚀方法

摘要

本发明提供一种控制栅极刻蚀方法，所述方法包括提供一闪存存储器的cell区结构；进行光刻工艺和刻蚀工艺使所述掩膜层中形成开口；以所述掩膜层为掩膜对所述多晶硅控制栅极进行刻蚀，使所述刻蚀停止于所述多晶硅间介质层，保留位于所述STI上的多晶硅间介质层；进行多晶硅控制栅极过刻蚀；对所述多晶硅间介质层进行第一步刻蚀工艺步骤；对所述多晶硅间介质层进行第二步刻蚀工艺步骤，去除所述隔离浮动栅极层侧壁的所述多晶硅间介质层；对所述隔离浮动栅极层进行刻蚀。通过本发明的方法将现有技术中多晶硅间介质层刻蚀步骤分成两步，并利用各项同性刻蚀气体作为工艺中的刻蚀气体，能够有效改善浅槽隔离损失，以保证半导体器件的性能和可靠性。

主权项

一种控制栅极刻蚀方法，应用于闪存存储器中，其特征在于，所述方法包括如下步骤：提供一闪存存储器的存储单元区结构，所述存储单元区结构由下至上依次包括设置有浅槽隔离的衬底、栅极介质层、多晶硅浮动栅极、多晶硅间介质层、多晶硅控制栅极和掩膜层，所述多晶硅浮动栅极位于所述衬底中不含有浅槽隔离的区域的上方；进行光刻工艺和刻蚀工艺使所述掩膜层中形成开口；以所述掩膜层为掩膜对所述多晶硅控制栅极进行刻蚀，使所述刻蚀停止于所述多晶硅间介质层，保留位于所述浅槽隔离上的控制栅极部分；进行多晶硅控制栅极过刻蚀，以去除位于所述浅槽隔离上的控制栅极部分；对所述多晶硅间介质层进行第一步刻蚀工艺步骤，去除所述多晶硅浮动栅极和所述浅槽隔离上方的多晶硅间介质层；对所述多晶硅间介质层进行第二步刻蚀工艺步骤，采用具有各向同性的刻蚀能力刻蚀气体进行刻蚀，且所述刻蚀气体对多晶硅间介质层具有较高的刻蚀选择比，去除所述隔离浮动栅极层侧壁的所述多晶硅间介质层；对所述隔离浮动栅极层进行刻蚀；其中，所述刻蚀气体在一个高功率等离子源中形成；使用CF4或CHF3作为刻蚀气体。