[发明专利]一种改善多晶硅炉管控片监控机制的方法

摘要

本发明为一种改善多晶硅炉管控片监控机制的方法，涉及半导体制造技术领域，包括以下步骤：在晶舟中设置有三个非产品晶片区域；采用若干产品晶片和若干第一挡片，将晶舟中除三个非产品晶片区域以外的区域填满；在非产品晶片区域中填充有第一挡片、第二挡片和控片；将晶舟置于炉管中进行多晶硅制备工艺；对使用后的第二挡片进行清洗和重新制备；重复上述步骤；其中，第二挡片为在一光片上沉积氮化硅和氧化硅后形成；控片则仅沉积氧化硅。本发明保证了炉管工艺过程中控片和产品晶片表面的多晶硅淀积速度一致，使控片能有效准确地反映产品晶片的颗粒数和膜厚，减少了控片使用的片数和量测时间，从而减少了日程监控的成本，提高了日程监控的效率。

主权项

一种改善多晶硅炉管控片监控机制的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 步骤S1、提供一晶舟、若干产品晶片、若干第一挡片、若干第二挡片和若干控片； 步骤S2、在所述晶舟中从上往下，依次设置第一非产品晶片区域、第二非产品晶片和第三非产品晶片区域，所述第一非产品晶片区域位于所述晶舟顶部，所述第二非晶片产品区域位于所述晶舟的中部，所述第三非产品晶片区域位于所述晶舟的底部； 步骤S3、至少采用若干产品晶片，将所述晶舟中除第一非产品晶片区域、第二非产品晶片区域和第三非产品晶片区域以外的区域填充满； 步骤S4、在所述第一非产品晶片区域中由上至下依次填充一第一挡片、一第二挡片和一控片，在所述第二非产品晶片区域中由上至下依次填充一第二挡片和一控片，在所述第三非产品晶片区域中由上至下依次填充一第二挡片、一控片和一第一挡片； 步骤S5、将所述晶舟置于炉管中进行多晶硅制备工艺； 步骤S6、对使用后的若干第二挡片进行清洗和重新制备； 步骤S7、重复步骤S1～S6； 其中，所述第一挡片为在一光片的正面和反面均沉积氮化硅后形成；所述第二挡片为在一光片的正面和反面均依次沉积氮化硅和氧化硅后形成；所述控片为在一光片的正面和反面均沉积氧化硅后形成。